Технология зарядки на основе нитрида галлия является относительно новой и пока еще на 10–20 процентов дороже кремниевых аналогов, но по мере увеличения объемов производства способна ...
Получить ценуRequest PDF | Гетероструктуры на основе нитрида галлия на подложках кремния для мощных СВЧ-транзисторов ...
Получить ценуВ качестве материала для изготовления транзисторов нитрид галлия известен с 90-х годов. Но для транзисторов, применяемых в электро-энергетическом оборудовании, его интенсивное внедрение началось примерно в 2018 г. Это связано с развитием электромобилей и солнечной генерации.
Получить ценуПредложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно ...
Получить ценуhemt-структура на основе нитрида галлия на сапфировой подложке диаметром 76.2 мм, тол-щиной 350–400 мкм и ориентацией (0001). 95 РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ том 14 № 3–4 2019 Тоом 14№3–Т204о9М4№а4№рт0Ам –4а0 ...
Получить ценуСВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри А. Кищинский 1 12–13 ноября в Москве состоялся семинар-совещание специалистов
Получить ценуПредставлен анализ ситуации, сложившейся на рынке оборудования для МОС-гидридной эпитаксии соединений на основе нитрида галлия, и видение проблем и открывающихся возможностей. Даны практические результаты работы ...
Получить ценуКак сообщает Defense News, новый радар получил активную фазированную антенную решетку, приемо-передающие модули которой сделаны на основе нитрида галлия вместо традиционного сегодня арсенида галлия. Такое усовершенствование наряду с другими доработками позволит комплексам Patriot …
Получить ценуПатент RU2646536C1: Изобретение относится к области радиотехники и электроники. В ...
Получить ценуПатент ru2581726c1: Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности ...
Получить ценуНа замену Patriot: в США представлен новый радар ПРО на основе нитрида галлия. 18 октября 2019. 38. Американская промышленная компания Raytheon создаёт новый радар противоракетной обороны для армии ...
Получить ценуЗа счет более высокой мощности изготавливаемых СВЧ схем и приборов по сравнению с аналогами на основе кремния или арсенида галлия значительно улучшаются технические характеристики ...
Получить ценувыращивания гетероструктур на основе нитрида галлия на кремнии и карбиде кремния. Эта технология обеспечит ширину затвора 60 нм при плотности мощности 2 Вт/мм в частотном диапазоне до 170 ГГц.
Получить ценуПо словам Вэйсяо Хуана, транзисторы на основе нитрида галлия потребляют гораздо меньше энергии, нежели их ...
Получить ценуТехнология зарядки на основе нитрида галлия является относительно новой и пока еще на 10–20 процентов дороже кремниевых аналогов, но по мере увеличения объемов производства способна ...
Получить ценуВ качестве материала для изготовления транзисторов нитрид галлия известен с 90-х годов. Но для транзисторов, применяемых в электро-энергетическом оборудовании, его интенсивное внедрение началось примерно в 2018 г. Это связано с развитием электромобилей и солнечной генерации.
Получить ценуСВЧ-компоненты на основе технологии нитрида галлия: взгляд изнутри А. Кищинский 1 12–13 ноября в Москве состоялся семинар-совещание специалистов
Получить ценуПредложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста (менее 950°С). Сформированная гетероструктура обладает атомарно ...
Получить ценуhemt-структура на основе нитрида галлия на сапфировой подложке диаметром 76.2 мм, тол-щиной 350–400 мкм и ориентацией (0001). 95 РОССИЙСКИЕ НАНОТЕХНОЛОГИИ том 14 № 3–4 2019 Тоом 14№3–Т204о9М4№а4№рт0Ам –4а0 ...
Получить ценуПредставлен анализ ситуации, сложившейся на рынке оборудования для МОС-гидридной эпитаксии соединений на основе нитрида галлия, и видение проблем и открывающихся возможностей. Даны практические результаты работы ...
Получить ценуНапример, именно на основе нитрида галлия будут создаваться приемо-передающие модули для новой линейки наземных и воздушных радаров, разрабатываемых шведской компанией Saab. ...
Получить ценуИзобретение позволяет улучшить теплоотвод от подзатворной области и уменьшить температуру канала полевого транзистора на основе гетероструктур типа AlGaN/GaN, что приводит к улучшению ...
Получить ценуПатент ru2581726c1: Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности ...
Получить ценувыращивания гетероструктур на основе нитрида галлия на кремнии и карбиде кремния. Эта технология обеспечит ширину затвора 60 нм при плотности мощности 2 Вт/мм в частотном диапазоне до 170 ГГц.
Получить ценуВ области силовых переключающих транзисторов институтом разработаны приборы на основе нитрида галлия на кремнии c пробивным напряжением сток-исток от 100 до 450 В, постоянным током стока от 20 ...
Получить ценуНа замену Patriot: в США представлен новый радар ПРО на основе нитрида галлия. 18 октября 2019. 38. Американская промышленная компания Raytheon создаёт новый радар противоракетной обороны для армии ...
Получить ценуПредмет исследования. Рассмотрены процессы образования и поведения дефектов при многостадийном выращивании толстых эпитаксиальных слоев нитрида галлия методом хлорид-гидридной эпитаксии на подложках GaN/Al2O3 с ...
Получить ценуЗа счет более высокой мощности изготавливаемых СВЧ схем и приборов по сравнению с аналогами на основе кремния или арсенида галлия значительно улучшаются технические характеристики ...
Получить ценуСпособ получения пластины монокристалла нитрида галлия характеризуется поэтапным формированием слоистой структуры: на первом этапе на подложке Si …
Получить ценуУченым давно было известно, что нитрид галлия обладает лучшей электропроводностью, нежели кремний. Однако впервые создать транзистор на …
Получить ценуПриборы на основе нитрида галлия не новы. Они изучаются с 1980-х годов. Первыми приборами на нитриде галлия стали светодиоды, которые за последние …
Получить ценутранзистора на основе нитрида галлия с эффективной системой теплоотвода и исследование с помощью численного моделирования особенностей тепловых …
Получить ценуДля повышения скорости роста монокристаллов нитрида галлия при одновременном повышении качества монокристаллов нитрида галлия …
Получить ценуВ настоящее время структуры на основе нитрида галлия и его твёрдых растворов широко применяются в оптоэлектронике и силовой электронике, однако …
Получить ценуПатент ru2477766c1: Изобретение относится к технологии выращивания полупроводниковых ...
Получить ценуПредложен и реализован уникальный метод формирования гетероструктур на основе нитрида галлия на подложках кремния при пониженных температурах роста …
Получить ценуhemt-структура на основе нитрида галлия на сапфировой подложке диаметром 76.2 мм, тол-щиной 350–400 мкм и ориентацией (0001). 95 РОССИЙСКИЕ …
Получить цену«Транзисторы на основе нитрида галлия стали, на мой взгляд, являются следующим большим шагом в миниатюризации. Мы видели, что системы …
Получить цену
